Кристаллография

Арингожина Зарина Ержановна

*InstructorProfile(zh-CN)*

内容描述: В курсе излагаются сведения о геометрической кристаллографии с начальными сведениями по кристаллохимии. Здесь приводятся данные о кристаллическом и аморфном состоянии вещества, о кристаллах, элементах их ограничения и свойствах. Рассматриваются основные законы кристаллографии: закон постоянства гранных углов, закон рациональных отношений; симметрии кристаллов элементы симметрии кристаллов (центр, оси и плоскости); простые формы кристаллов и их комбинации.

贷款数: 6

Пререквизиты:

  • Физика конденсированного состояния
  • Физические основы рентгенофлуоресцентного анализа (РФА)

*СomplexityDiscipline(zh-CN)*:

*TypesOfClasses(zh-CN)* *hours(zh-CN)*
*Lectures(zh-CN)* 15
*PracticalWork(zh-CN)* 15
*LaboratoryWork(zh-CN)* 15
*srop(zh-CN)* 45
*sro(zh-CN)* 90
*FormOfFinalControl(zh-CN)* экзамен
*FinalAssessment(zh-CN)*

零件: Компонент по выбору

循环次数: Профилирующие дисциплины

Цель
  • Формирование представлений об основах кристаллографии - науки о закономерностях атомного строения кристаллического вещества, являющейся базисом для изучения физики твердого тела. Раскрытие связи особенностей кристаллического строения вещества с особенностями физических свойств.
Задача
  • Изучить основные понятия, законы и методы кристаллографии и металлографии для дальнейшего применения их при анализе строения, свойств металлов и сплавов, разработки и совершенствования технологий производства и обработки сплавов с заданными свойствами
Результат обучения: знание и понимание
  • - историю, предмет, задачи и методы изучения кристаллического вещества; - основы кристаллографии, минералогии и методы определения минералов (физический, морфологический) и их классификации; - современные научные представления о процессах минералообразования;
Результат обучения: применение знаний и пониманий
  • - определять вид материала по классифицирующим признакам; - расчитывать стехиохимическую формулу вещества; - работать с учебной, справочной и научной литературой;
Результат обучения: формирование суждений
  • производить оптималиный выбор материалаи технологии его обработки для изготовления художественных изделий различного назначения
Результат обучения: коммуникативные способности
  • готовность к кооперации с коллегами, работе в коллективе; готовность использовать основные законы дисциплины в профессиональной деятельности, применять методы теоретического и экспериментального исследования.
Результат обучения: навыки обучения или способности к учебе
  • формулировать основные понятия раздела, решать физические задачи и оценивать порядки физических величин.
*TeachingMethods(zh-CN)*

При проведении учебных занятий предусматривается использование следующих образовательных технологий: - интерактивная лекция (использование следующих активных форм обучения: исполнительная (управляемая) дискуссия или беседа; модернизация; демонстрация слайдов или учебных фильмов; мозговой штурм; мотивационная речь); - построение сценариев развития различных ситуаций на основе заданных условий; - информационно-коммуникационные (например, занятия в компьютерном классе с использованием профессиональных пакетов прикладных программ); - поисково-исследовательская (самостоятельная исследовательская деятельность студентов в учебном процессе); - решение учебных задач.

*AssessmentKnowledge(zh-CN)*

Преподаватель проводит все виды работ текущего контроля и выводит соответствующую оценку текущей успеваемости обучающихся два раза в академический период. По результатам текущего контроля формируется рейтинг 1 и 2. Учебные достижения обучающегося оцениваются по 100-балльной шкале, итоговая оценка Р1 и Р2 выводится как средняя арифметическая из оценок текущей успеваемости. Оценка работы обучающегося в академическом периоде осуществляется преподавателем в соответствии с графиком сдачи заданий по дисциплине. Система контроля может сочетать письменные и устные, групповые и индивидуальные формы.

*Period2(zh-CN)* *TypeOfTask(zh-CN)* *Total(zh-CN)*
1  *Rating(zh-CN)* Коллоквиум 0-100
Индивидуальные задания
Выполнение и защита лабораторных работ
Рубежный контроль 1
2  *Rating(zh-CN)* Рубежный контроль 2 0-100
Коллоквиум
Индивидуальные задания
Выполнение и защита лабораторных работ
*TotalControl(zh-CN)* экзамен 0-100
*PolicyAssignmentTask(zh-CN)*
*TypeOfTask(zh-CN)* 90-100 70-89 50-69 0-49
Excellent *Grade4(zh-CN)* *Grade3(zh-CN)* *Grade2(zh-CN)*
*EvaluationForm(zh-CN)*

Итоговая оценка знаний обучающего по дисциплине осуществляется по 100 балльной системе и включает:

  • 40% результата, полученного на экзамене;
  • 60% результатов текущей успеваемости.

Формула подсчета итоговой оценки:

И= 0,6 Р1+Р2 +0,4Э
2

 

где, Р1, Р2 – цифровые эквиваленты оценок первого, второго рейтингов соответственно; Э – цифровой эквивалент оценки на экзамене.

Итоговая буквенная оценка и ее цифровой эквивалент в баллах:

Буквенная система оценки учебных достижений обучающихся, соответствующая цифровому эквиваленту по четырехбалльной системе:

Оценка по буквенной системе Цифровой эквивалент Баллы (%-ное содержание) Оценка по традиционной системе
A 4.0 95-100 Отлично
A- 3.67 90-94
B+ 3.33 85-89 Хорошо
B 3.0 80-84
B- 2.67 75-79
C+ 2.33 70-74
C 2.0 65-69 Удовлетворительно
C- 1.67 60-64
D+ 1.33 55-59
D 1.0 50-54
FX 0.5 25-49 Неудовлетворительно
F 0 0-24
Темы лекционных занятий
  • Кристаллография.Кристаллические вещества и их свойства.
  • Кристаллическая решетка минералов.Рост кристаллов.
  • Понятие простая форма. Обзор простых форм по сингониям.
  • Определение содержания науки минералогия и ее связь с другими науками о Земле.
  • Строение кристаллических материалов. Геометрическая и структурная кристаллографии.
  • Элементы кристаллохимии и кристаллофизики. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов.
  • Пространственная решетка. Период повторяемости.
  • Определение обратной решетки. Элементарные трансляции в обратной решетке. Радиус-вектор в обратной решетке. Применение обратной решетки к решению задач кристаллографии.
  • Определение симметрии. Симметрические преобразования.
  • Преобразования первого рода. Преобразования координат при повороте вокруг оси.
  • Обозначения элементов симметрии. Сложение элементов симметрии (основные теоремы). Точечные дефекты.
  • Дислокации и дефекты упаковки в типичных металлических структурах.
  • Пересечение дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами. Дислокационные системы и границы раздела.
Основная литература
  • 1. Современная кристаллография. / Гл. редактор акад. Вайнштейн Б.К. - Т. 1. - М.: Наука, 1979. 2. Шаскольская М.П. Кристаллография. - М.: Высшая школа, 1984. 3. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. - М.: Наука, 1971. 4. Костов И. Кристаллография. - М.: Мир, 1965. 5. Попов Г.М., Шафрановский И.И. Кристаллография. - М.: Высшая. школа, 1964.
Дополнительная литература
  • 1.Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родствен- 10ных материалах. Москва Физматлит. 2000. 2.Артамонов В.А.,СловохотовЮ.Л.Группы и их приложения в физике, хи-мии, кристаллографии. Учебное пособие. Москва ,ACADEMA, 2005. 510 с. 3.Богомолов А.А., Солнышкин А.В. Динамика решетки и сегнетоэлектриче-ские явления: Учеб. пособие. Тверь: Твер. гос. ун-т, 2008